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MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor

Cuota De Producción: 5pcs
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: Bolsa de PE+cartón
Período De Entrega: 5-10days
Método De Pago: L/C, T/T
Capacidad De Suministro: 100000 PCS por mes
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY12M
Marca:
JUYI
Modelo:
JY12M
Resaltar:

conductor IC del motor de 30V BLDC

,

JY12M

,

Canal BLDC IC de N y de P

Descripción del producto

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para los usos del inversor

 

Descripción general

El JY12M es un tipo de transistor del campo del poder diseñado en N y modo del aumento de la lógica del canal de P. Estos transistores se fabrican usando una alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, que permite características de excelente rendimiento. El proceso de alta densidad de la técnica de la fabricación se optimiza específicamente para minimizar la resistencia del en-estado, llevando a la eficacia aumentada.

Estos transistores de poder están particularmente bien adaptados para los usos de la baja tensión, tales como gestión del poder en teléfonos móviles, ordenadores portátiles, y otros circuitos con pilas. Sobresalen en situaciones donde están requisitos el cambiar del alto-lado y el apagón mínimo cruciales. Además, el JY12M se diseña en un paquete muy pequeño del soporte de la superficie del esquema, teniendo en cuenta la integración compacta y espacio-eficiente en sistemas electrónicos.

En resumen, los transistores del campo del poder de JY12M utilizan alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, dando por resultado resistencia reducida del en-estado. Son altamente convenientes para los usos de la baja tensión, especialmente en escenarios donde están esenciales la transferencia eficiente del alto-lado y el apagón mínimo. El paquete superficial compacto del soporte más futuro aumenta sus capacidades de la flexibilidad y de la integración.

Hoja de datos: JY12M.pdf

 

Características

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 0

Capacitancia entrada baja

●Velocidad que cambia rápida

 

Uso

 

Gestión del poder

●Convertidor de DC/DC

●Control de motor de DC

●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor

●Inversor de CCFL

 

PIN Configuration

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 1

Esquema del paquete SOP-9

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 2

Imágenes

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 3MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 4MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 5

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DETALLES DE LOS PRODUCTOS
MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor
Cuota De Producción: 5pcs
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: Bolsa de PE+cartón
Período De Entrega: 5-10days
Método De Pago: L/C, T/T
Capacidad De Suministro: 100000 PCS por mes
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY12M
Marca:
JUYI
Modelo:
JY12M
Cantidad de orden mínima:
5pcs
Precio:
negotiable
Detalles de empaquetado:
Bolsa de PE+cartón
Tiempo de entrega:
5-10days
Condiciones de pago:
L/C, T/T
Capacidad de la fuente:
100000 PCS por mes
Resaltar

conductor IC del motor de 30V BLDC

,

JY12M

,

Canal BLDC IC de N y de P

Descripción del producto

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para los usos del inversor

 

Descripción general

El JY12M es un tipo de transistor del campo del poder diseñado en N y modo del aumento de la lógica del canal de P. Estos transistores se fabrican usando una alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, que permite características de excelente rendimiento. El proceso de alta densidad de la técnica de la fabricación se optimiza específicamente para minimizar la resistencia del en-estado, llevando a la eficacia aumentada.

Estos transistores de poder están particularmente bien adaptados para los usos de la baja tensión, tales como gestión del poder en teléfonos móviles, ordenadores portátiles, y otros circuitos con pilas. Sobresalen en situaciones donde están requisitos el cambiar del alto-lado y el apagón mínimo cruciales. Además, el JY12M se diseña en un paquete muy pequeño del soporte de la superficie del esquema, teniendo en cuenta la integración compacta y espacio-eficiente en sistemas electrónicos.

En resumen, los transistores del campo del poder de JY12M utilizan alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, dando por resultado resistencia reducida del en-estado. Son altamente convenientes para los usos de la baja tensión, especialmente en escenarios donde están esenciales la transferencia eficiente del alto-lado y el apagón mínimo. El paquete superficial compacto del soporte más futuro aumenta sus capacidades de la flexibilidad y de la integración.

Hoja de datos: JY12M.pdf

 

Características

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 0

Capacitancia entrada baja

●Velocidad que cambia rápida

 

Uso

 

Gestión del poder

●Convertidor de DC/DC

●Control de motor de DC

●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor

●Inversor de CCFL

 

PIN Configuration

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 1

Esquema del paquete SOP-9

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 2

Imágenes

MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 3MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 4MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para el inversor 5

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