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conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto

conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto

Cuota De Producción: 1 sistema
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: CARTÓN DEL PE BAG+
Período De Entrega: 5-10 días
Método De Pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad De Suministro: 1000sets/day
Información detallada
Lugar de origen
CHINA
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY21L
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta:
5.5V a 20V
La fuente de la salida/hunde capacidad actual:
450mA/850mA
Fuente flotante del alto lado:
-0.3-150V
Fuente del lado bajo y de alimentación principal:
-0.3-25V
De alta velocidad:
Color:
NEGRO
Resaltar:

alto conductor lateral del mosfet del canal N

,

alto mosfet lateral del canal N

,

Alto Mosfet lateral del canal N de Bldc

Descripción del producto

Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P-EPI.

 

Descripción general
El producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basado encendido
Proceso de P-SUB P-EPI. El conductor del canal de flotación se puede utilizar para conducir el canal N dos
MOSFET o IGBT del poder independientemente que actúan hasta 150V. Las entradas de la lógica son
compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. La salida
los conductores ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor
conducción. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en de alta frecuencia
usos.


Características
lógica 3.3V compatible
●Completamente - operativo a +150V
●Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
●Gama de la fuente de la impulsión de la puerta de 5.5V a 20V
●Capacidad actual 450mA/850mA de la fuente/del fregadero de la salida
●Entrada independiente de la lógica para acomodar todas las topologías
●-5V negativo contra capacidad
●Retraso de propagación hecho juego para ambos canales


Usos
Conductor del MOSFET o de IGBT del poder
●Conductor pequeño y de potencia media del motor
 

conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto 0

 

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1 VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal
2 HIN Entrada de la lógica para la alta salida lateral del conductor de la puerta (HO)
3 LIN Entrada de la lógica para la salida lateral baja del conductor de la puerta (LO)
4 COM Tierra
5 LO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta, en fase con LIN
6 CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado o vuelta del tirante
7 HO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta, en fase con HIN
8 VB Fuente flotante del alto lado


Grados máximos absolutos

Símbolo Definición MÍNIMO. MÁXIMO. Unidades
VB Fuente flotante del alto lado -0,3 150 V
CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado VB-20 VB +0,3
VHO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta VS-0.3 VB +0,3
VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal -0,3 25
VLO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta -0,3 VCC +0,3
VIN Entrada de la lógica de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modelo de HBM 2500 V
Modelo de máquina 200 V
Paladio Disipación de poder del paquete @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Empalme de la resistencia termal a ambiente 200 ºC/W
TJ Temperatura de empalme 150 ºC
TS Temperatura de almacenamiento -55 150
TL Temperatura de la ventaja 300


Nota: Exceder estos grados puede dañar el dispositivo

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY21L

conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto 1JY21L.pdf

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DETALLES DE LOS PRODUCTOS
conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto
Cuota De Producción: 1 sistema
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: CARTÓN DEL PE BAG+
Período De Entrega: 5-10 días
Método De Pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad De Suministro: 1000sets/day
Información detallada
Lugar de origen
CHINA
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY21L
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta:
5.5V a 20V
La fuente de la salida/hunde capacidad actual:
450mA/850mA
Fuente flotante del alto lado:
-0.3-150V
Fuente del lado bajo y de alimentación principal:
-0.3-25V
De alta velocidad:
Color:
NEGRO
Cantidad de orden mínima:
1 sistema
Precio:
negotiable
Detalles de empaquetado:
CARTÓN DEL PE BAG+
Tiempo de entrega:
5-10 días
Condiciones de pago:
T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente:
1000sets/day
Resaltar

alto conductor lateral del mosfet del canal N

,

alto mosfet lateral del canal N

,

Alto Mosfet lateral del canal N de Bldc

Descripción del producto

Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P-EPI.

 

Descripción general
El producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basado encendido
Proceso de P-SUB P-EPI. El conductor del canal de flotación se puede utilizar para conducir el canal N dos
MOSFET o IGBT del poder independientemente que actúan hasta 150V. Las entradas de la lógica son
compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. La salida
los conductores ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor
conducción. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en de alta frecuencia
usos.


Características
lógica 3.3V compatible
●Completamente - operativo a +150V
●Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
●Gama de la fuente de la impulsión de la puerta de 5.5V a 20V
●Capacidad actual 450mA/850mA de la fuente/del fregadero de la salida
●Entrada independiente de la lógica para acomodar todas las topologías
●-5V negativo contra capacidad
●Retraso de propagación hecho juego para ambos canales


Usos
Conductor del MOSFET o de IGBT del poder
●Conductor pequeño y de potencia media del motor
 

conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto 0

 

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1 VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal
2 HIN Entrada de la lógica para la alta salida lateral del conductor de la puerta (HO)
3 LIN Entrada de la lógica para la salida lateral baja del conductor de la puerta (LO)
4 COM Tierra
5 LO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta, en fase con LIN
6 CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado o vuelta del tirante
7 HO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta, en fase con HIN
8 VB Fuente flotante del alto lado


Grados máximos absolutos

Símbolo Definición MÍNIMO. MÁXIMO. Unidades
VB Fuente flotante del alto lado -0,3 150 V
CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado VB-20 VB +0,3
VHO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta VS-0.3 VB +0,3
VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal -0,3 25
VLO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta -0,3 VCC +0,3
VIN Entrada de la lógica de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modelo de HBM 2500 V
Modelo de máquina 200 V
Paladio Disipación de poder del paquete @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Empalme de la resistencia termal a ambiente 200 ºC/W
TJ Temperatura de empalme 150 ºC
TS Temperatura de almacenamiento -55 150
TL Temperatura de la ventaja 300


Nota: Exceder estos grados puede dañar el dispositivo

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