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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Cuota De Producción: 5pcs
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: Bolsa de PE+cartón
Período De Entrega: 5-10days
Método De Pago: L/C, T/T
Capacidad De Suministro: 100000 PCS por mes
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY4P7M
Marca:
JUYI
Modelo:
JY4P7M
Resaltar:

JY4P7M

,

Motor IC del canal BLDC de P

Descripción del producto

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para los usos de gran intensidad de la carga

 

Descripción general

En usos de gran intensidad de la carga, el JY4P7M demuestra ser un dispositivo extremadamente confiable y eficiente. Alcanza una alta densidad de célula y la minimiza con eficacia en resistencia del ‐ con la utilización de las técnicas de proceso puntas del foso. Además, el dispositivo ofrece la carga baja de la puerta, aumentando más lejos su performance.ents.  Consiga más detalles hacen clic por favor aquí.

 

Característica

‐ 70A, ‐ 10V del ‐ 40V/del RDS (ENCENDIDO) ≤10mΩ@VGS=
●Diseño de alta densidad de la célula para Rdson ultrabajo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

Usos

Interruptor de la carga en usos de gran intensidad
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

PIN Description

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 0

Esquema del paquete TO252

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 1MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 2

Imágenes

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 3MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 4MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 5

 

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DETALLES DE LOS PRODUCTOS
MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad
Cuota De Producción: 5pcs
Precio: negotiable
Embalaje Estándar: Bolsa de PE+cartón
Período De Entrega: 5-10days
Método De Pago: L/C, T/T
Capacidad De Suministro: 100000 PCS por mes
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
JUYI
Número de modelo
JY4P7M
Marca:
JUYI
Modelo:
JY4P7M
Cantidad de orden mínima:
5pcs
Precio:
negotiable
Detalles de empaquetado:
Bolsa de PE+cartón
Tiempo de entrega:
5-10days
Condiciones de pago:
L/C, T/T
Capacidad de la fuente:
100000 PCS por mes
Resaltar

JY4P7M

,

Motor IC del canal BLDC de P

Descripción del producto

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para los usos de gran intensidad de la carga

 

Descripción general

En usos de gran intensidad de la carga, el JY4P7M demuestra ser un dispositivo extremadamente confiable y eficiente. Alcanza una alta densidad de célula y la minimiza con eficacia en resistencia del ‐ con la utilización de las técnicas de proceso puntas del foso. Además, el dispositivo ofrece la carga baja de la puerta, aumentando más lejos su performance.ents.  Consiga más detalles hacen clic por favor aquí.

 

Característica

‐ 70A, ‐ 10V del ‐ 40V/del RDS (ENCENDIDO) ≤10mΩ@VGS=
●Diseño de alta densidad de la célula para Rdson ultrabajo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

Usos

Interruptor de la carga en usos de gran intensidad
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

PIN Description

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 0

Esquema del paquete TO252

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 1MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 2

Imágenes

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 3MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 4MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 5

 

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