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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Name: MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad
Brand: JUYI
SKU: JY4P7M
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (162 reviews)

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Certificación

CHINA Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gracias asesoró componentes muy bonitos y profesionales para nuestro proyecto, y le desean bueno.

—— Adolph

Los conductores del motor que conseguimos de usted trabajaron bien y su servicio modificado para requisitos particulares nos era muy útil.

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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Ampliación de imagen : MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	JUYI
Número de modelo:	JY4P7M

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5pcs
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	Bolsa de PE+cartón
Tiempo de entrega:	5-10days
Condiciones de pago:	L/C, T/T
Capacidad de la fuente:	100000 PCS por mes

Contacto

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

descripción

Marca:

JUYI

Modelo:

JY4P7M

Alta luz:

JY4P7M

Motor IC del canal BLDC de P

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para los usos de gran intensidad de la carga

Descripción general

En usos de gran intensidad de la carga, el JY4P7M demuestra ser un dispositivo extremadamente confiable y eficiente. Alcanza una alta densidad de célula y la minimiza con eficacia en resistencia del ‐ con la utilización de las técnicas de proceso puntas del foso. Además, el dispositivo ofrece la carga baja de la puerta, aumentando más lejos su performance.ents. Consiga más detalles hacen clic por favor aquí.

Característica

●‐ 70A, ‐ 10V del ‐ 40V/del RDS (ENCENDIDO) ≤10mΩ@VGS=
●Diseño de alta densidad de la célula para Rdson ultrabajo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

Usos

●Interruptor de la carga en usos de gran intensidad
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

PIN Description

Esquema del paquete TO252

Imágenes

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad 3

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Amigo Deng

Teléfono: +86-18994777701

Fax: 86-519-83606689

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●‐ 70A, ‐ 10V del ‐ 40V/del RDS (ENCENDIDO) ≤10mΩ@VGS=
●Diseño de alta densidad de la célula para Rdson ultrabajo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

●Interruptor de la carga en usos de gran intensidad
●Gestión del poder para los sistemas del inversor