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Datos del producto:
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Voltaje de la Dren-fuente: | 600 V | voltaje de la Puerta-fuente: | ±30V |
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Disipación de poder máxima: | 33W | Corriente pulsada del dren: | 16A |
Uso: | Iluminación | Forma: | Cuadrado |
Alta luz: | mosfet del poder del canal N,interruptor lateral del mosfet del canal N alto,regulador del motor del mosfet del poder |
Paquete de JY16M N Channel 600V TO220F-3
MOSFET del poder del modo del aumento para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY16M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●600V/4A, RDS (ENCENDIDO) =2.6Ω@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Iluminación
●Fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Grado | Unidad | |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 600 | V | |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 30 | V | |
Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 4 | |
Tc=100ºC | 2,9 | |||
IDM | Corriente pulsada del dren | 16 | ||
Paladio | Disipación de poder máxima | 33 | W | |
TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +150 | ºC | |
RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 1,5 | ºC/W | |
RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características estáticas | ||||||
BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 600 | V | ||
IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =600V, VGS =0V | 1 | UA | ||
IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 30V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =4A | 2,6 | 2,8 | Ω |
Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
VSD | Diodo delantero Voltaje |
VGS =0V, DSI =2A | 1,5 | V | ||
Trr | Tiempo de recuperación reversa | DSI =4A di/dt=100A/us |
260 | ns | ||
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 1,5 | nC | |||
Características dinámicas | ||||||
RG | Resistencia de la puerta | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
5 | Ω | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =300V, RG =25Ω, IDENTIFICACIÓN =4A, VGS =10V, |
15 | ns | ||
Tr | Tiempo de subida de abertura | 48 | ||||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 28 | ||||
Tf | Tiempo de caída de la vuelta-apagado | 35 | ||||
CISS | Capacitancia entrada | VGS =0V, VDS =25V, f=1.0MHz |
528 | PF | ||
COSS | Capacitancia de salida | 72 | ||||
CRSS | Transferencia reversa Capacitancia |
9 | ||||
Qg | Carga total de la puerta | VDS =480V, IDENTIFICACIÓN =4A, VGS =10V |
16 | nC | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 3,5 | ||||
Qgd | Carga del Puerta-dren | 7,1 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY16M
Persona de Contacto: Mr. Amigo Deng
Teléfono: +86-18994777701
Fax: 86-519-83606689