Cuota De Producción: | 1 sistema |
Precio: | negotiable |
Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
Período De Entrega: | 5-10 días |
Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
MOSFET del poder de JY14M N Channel Enhancement Mode para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 40 | V | |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 200 | |
Tc=100ºC | 130 | |||
IDM | Corriente pulsada del dren | 720 | ||
Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +175 | ºC | |
RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W | |
RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características estáticas | ||||||
BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 40 | V | ||
IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A | 2,5 | mΩ | ||
gFS | Delantero Transconductancia |
VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A | 100 | S |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
VSD | Diodo delantero Voltaje |
VGS =0V, DSI =100A | 1,2 | V | ||
Trr | Tiempo de recuperación reversa | DSI =100A di/dt=100A/us |
38 | ns | ||
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 58 | nC | |||
Características dinámicas | ||||||
RG | Resistencia de la puerta | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =20V, RG =6Ω, Identificación =100A, VGS =10V, |
34 | ns | ||
Tr | Tiempo de subida de abertura | 22 | ||||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 48 | ||||
Tf | Tiempo de caída de la vuelta-apagado | 60 | ||||
CISS | Capacitancia entrada | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
COSS | Capacitancia de salida | 1460 | ||||
CRSS | Transferencia reversa Capacitancia |
600 | ||||
Qg | Carga total de la puerta | VDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A, VGS =10V |
160 | nC | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 32 | ||||
Qgd | Carga del Puerta-dren | 58 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M
Cuota De Producción: | 1 sistema |
Precio: | negotiable |
Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
Período De Entrega: | 5-10 días |
Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
MOSFET del poder de JY14M N Channel Enhancement Mode para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 40 | V | |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 200 | |
Tc=100ºC | 130 | |||
IDM | Corriente pulsada del dren | 720 | ||
Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +175 | ºC | |
RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W | |
RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características estáticas | ||||||
BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 40 | V | ||
IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A | 2,5 | mΩ | ||
gFS | Delantero Transconductancia |
VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A | 100 | S |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
VSD | Diodo delantero Voltaje |
VGS =0V, DSI =100A | 1,2 | V | ||
Trr | Tiempo de recuperación reversa | DSI =100A di/dt=100A/us |
38 | ns | ||
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 58 | nC | |||
Características dinámicas | ||||||
RG | Resistencia de la puerta | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =20V, RG =6Ω, Identificación =100A, VGS =10V, |
34 | ns | ||
Tr | Tiempo de subida de abertura | 22 | ||||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 48 | ||||
Tf | Tiempo de caída de la vuelta-apagado | 60 | ||||
CISS | Capacitancia entrada | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
COSS | Capacitancia de salida | 1460 | ||||
CRSS | Transferencia reversa Capacitancia |
600 | ||||
Qg | Carga total de la puerta | VDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A, VGS =10V |
160 | nC | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 32 | ||||
Qgd | Carga del Puerta-dren | 58 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M