|
| Cuota De Producción: | 1 sistema |
| Precio: | negotiable |
| Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
| Período De Entrega: | 5-10 días |
| Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
JY12M N y MOSFET del canal 30V de P para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY12M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
se producen usando alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS. Esto de alta densidad
el proceso se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos son
adaptado particularmente para el uso de la baja tensión tal como teléfono móvil y cuaderno
gestión del poder del ordenador y otros circuitos con pilas donde alto-lado
la transferencia, y el apagón en línea bajo son necesarios en una superficie muy pequeña del esquema
paquete del soporte.
CARACTERÍSTICAS
| Dispositivo | RDS (ENCENDIDO) MAX | IDMAX (25ºC) |
| Canal N | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-canal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Capacitancia entrada baja
●Velocidad que cambia rápida
USOS
●Gestión del poder
●Convertidor de DC/DC
●Control de motor de DC
●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor
●Inversor de CCFL
Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Canal N | Canal de P | Unidad | |||
| sec 10 | Constante | sec 10 | Constante | ||||
| Drene el voltaje de la fuente | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| Voltaje de fuente de puerta | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| Continuo Drene actual |
ºC Ta=25 | Identificación | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
| Corriente pulsada del dren | IDM | 30 | -30 | ||||
| Poder máximo Disipación |
ºC Ta=25 | Paladio | 1,5 | W | |||
| ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
| Empalme de funcionamiento Temperatura |
TJ | -55 a 150 | ºC | ||||
| Resistencia termal Empalme a ambiente |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| Resistencia termal Empalme a encajonar |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | |
| Parásitos atmosféricos | |||||||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
| IGSS | Salida de la puerta Actual |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
| P-Ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | UA | ||
| VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
| IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) | Dren del En-estado Actual |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente En-estado Resistencia |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
| VSD | Diodo delantero Voltaje |
ES =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
| ES =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY12M
El video
El video
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| Cuota De Producción: | 1 sistema |
| Precio: | negotiable |
| Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
| Período De Entrega: | 5-10 días |
| Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
JY12M N y MOSFET del canal 30V de P para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY12M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
se producen usando alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS. Esto de alta densidad
el proceso se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos son
adaptado particularmente para el uso de la baja tensión tal como teléfono móvil y cuaderno
gestión del poder del ordenador y otros circuitos con pilas donde alto-lado
la transferencia, y el apagón en línea bajo son necesarios en una superficie muy pequeña del esquema
paquete del soporte.
CARACTERÍSTICAS
| Dispositivo | RDS (ENCENDIDO) MAX | IDMAX (25ºC) |
| Canal N | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-canal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Capacitancia entrada baja
●Velocidad que cambia rápida
USOS
●Gestión del poder
●Convertidor de DC/DC
●Control de motor de DC
●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor
●Inversor de CCFL
Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Canal N | Canal de P | Unidad | |||
| sec 10 | Constante | sec 10 | Constante | ||||
| Drene el voltaje de la fuente | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| Voltaje de fuente de puerta | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| Continuo Drene actual |
ºC Ta=25 | Identificación | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
| Corriente pulsada del dren | IDM | 30 | -30 | ||||
| Poder máximo Disipación |
ºC Ta=25 | Paladio | 1,5 | W | |||
| ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
| Empalme de funcionamiento Temperatura |
TJ | -55 a 150 | ºC | ||||
| Resistencia termal Empalme a ambiente |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| Resistencia termal Empalme a encajonar |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | |
| Parásitos atmosféricos | |||||||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
| IGSS | Salida de la puerta Actual |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
| P-Ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | UA | ||
| VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
| IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) | Dren del En-estado Actual |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente En-estado Resistencia |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
| VSD | Diodo delantero Voltaje |
ES =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
| ES =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY12M
