|
| Cuota De Producción: | 1 sistema |
| Precio: | negotiable |
| Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
| Período De Entrega: | 5-10 días |
| Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
MOSFET del poder de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY11M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●100V/110A, RDS (ENCENDIDO) =6.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
| Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Corriente pulsada del dren | 395 | ||
| Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
| IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | Delantero Transconductancia |
VDS =50V, IDENTIFICACIÓN =40A | 100 | S |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY11M
El video
El video
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|
| Cuota De Producción: | 1 sistema |
| Precio: | negotiable |
| Embalaje Estándar: | CARTÓN DEL PE BAG+ |
| Período De Entrega: | 5-10 días |
| Método De Pago: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidad De Suministro: | 1000sets/day |
MOSFET del poder de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY11M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●100V/110A, RDS (ENCENDIDO) =6.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
| Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Corriente pulsada del dren | 395 | ||
| Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
| IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | Delantero Transconductancia |
VDS =50V, IDENTIFICACIÓN =40A | 100 | S |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY11M
